Samsung первой освоила производство по техпроцессу 3 нм
В сравнении с чипами, созданными по техпроцессу 5 нм, новые 3-нанометровые не только меньше, но и заметно мощнее и экономичнее.
Оптимизированный техпроцесс позволяет добиться снижения у чипов энергопотребления на 45% одновременно с повышением производительности на 23%, а площадь их поверхности на 16% меньше по сравнению с изделиями по 5-нанометровому техпроцессу.
Начав массовое производство по техпроцессу 3 нм, южнокорейская компания опередила своего главного конкурента, тайваньскую компанию TSMC — та намеревалась запустить 3-нанометровый техпроцесс во втором полугодии 2022.
Это значительное событие в полупроводниковой промышленности, поскольку техпроцесс 3 нм рассматривается как следующая важная веха после процесса 5 нм, который был представлен совсем недавно, в 2019 году. Этот новый технологический процесс позволит создавать еще более компактные и эффективные чипы с еще более высокой производительностью.
На фото: Высокопоставленные менеджеры Samsung (cлева направо) корпоративный вице-президент Майкл Чон, исполнительный корпоративный вице-президент Ча Хум Кху и корпоративный вице-президент подразделения Samsung Foundry Сан Пон Кан с 3-нанометровыми полупроводниковыми пластинами на производственной линии Samsung Electronics в Хвасоне. Источник изображения: Samsung
Понравилась статья?
Теги статьи
Нам нравится, что вам нравится
Уверены, вы можете не хуже! Напишите статью и получите Бонусы.
Спасибо, что вам есть что сказать
Попробуйте расширить свою мысль и написать статью — и получите за это Бонусы.
Комментарии
Авторизуйтесь, чтобы иметь возможность писать комментарии:
Войти