Micron выпустила 232-слойную память NAND

И это еще не все бонусы. Новинка обеспечивает самую высокую в отрасли скорость ввода-вывода — 2,4 ГБ/с, что на 50% быстрее, чем мог выдавать передовой до недавнего времени 176-слойный модуль памяти предыдущего поколения. При этом прирост скорости записи составил вплоть до 100%, а чтения — до 75%. В свете популяризации разрешения 8К, появления метавселенных и прочих VR-пространств скорость обработки информации играет очень большое значение.

Новая память стала и более устойчива к сбоям. Увеличилось количество областей, на которых запись и считывание может идти параллельно (было четыре, стало шесть). За счет этого снижается количество конфликтов между командами у уменьшается вероятность «глюков».

Наконец, эта память — первая в мире, поддерживающей низковольтный интерфейс NV-LPDDR4, который обеспечивает экономию энергии более чем в 30% по сравнению с интерфейсами предыдущего поколения. Так что устройства с новой памятью будут не только компактнее, производительнее и надежнее, но еще и более экономичными.

Micron уже запустила производство 232-слойной NAND-памяти на своем заводе в Сингапуре. Дата начала прямых продаж новинки пока не сообщается, но известно, что в первое время память будет использоваться в линейке потребительских твердотельных накопителей Crucial.

На фото: Пластина NAND-памяти Micron. Источник: Micron